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产品目录
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MKY-DBC-013B晶闸管通态降压测试仪
MKY-DBC-013B晶闸管通态降压测试仪 适用范围及特点 主要参数 ◇ 用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅、可控硅模块的通态峰值电流ITM和峰值压降VTM ◇ 用于测试整流管的正向峰值电流IFM和峰值压降VFM。 数字显示测试结果，自动测试。 通态峰值电流值测试前可准确设定，并具有良好的测试重复性。 峰值电流测量范围： 100-9000A 峰值压降测量范围： 0-7V
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MKY-DBC-013AC晶闸管伏安特性测试仪
MKY-DBC-013AC晶闸管伏安特性测试仪 主要参数 峰值电流测量范围： 30-3000A 峰值压降测量范围： 0-7V 外形尺寸： 440×440×150mm 2箱 整机重量： 35kg
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MKY-DBC-023C晶闸管阻断电压测试仪
MKY-DBC-023C晶闸管阻断电压测试仪 参数： 正向断态和反向阻断电压测量范围：0-8000V 正向断态和反向阻断电流测量范围：0-199mA 保护电流设定:0-199mA 外形尺寸：600×600×1000mm 整机重量：80kg
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MKY-DBC-023B晶闸管伏安特性测试仪
MKY-DBC-023B晶闸管伏安特性测试仪 主要参数 正向断态和反向阻断电压测量范围： MKY-DBC-023A 0-3000V MKY-DBC-023B 0-6000V 正向断态和反向阻断电流测量范围： MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA 保护电流设定: MKY-DBC-023A 0-99mA MKY-DBC-023B 0-199mA
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MKY-DBC-023A晶闸管伏安特性测试仪
MKY-DBC-023A晶闸管伏安特性测试仪 用于测试普通可控硅、快速可控硅、双向可控硅、可控硅模块、整流管的如下参数： ◇ 正向断态电压（VDRM）； ◇ 反向阻断电压（VRRM）； ◇ 正向断态漏电流（IDRM）； ◇ 反向阻断漏电流（IRRM）；
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MKY-DBC-031晶闸管VGT IGT测试仪
MKY-DBC-031晶闸管VGT IGT测试仪 主要参数 测量范围： 触发电流1-450mA； 触发电压0-7V； 维持电流1-450mA。 外形尺寸：440X440X150mm 整机重量：10kg
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